Источник / закреплённая редакция
Semiconductor Devices
Источник пакета openstax.condensed_matter · OpenStax University Physics, ch. 9 Condensed Matter Physics, module m58601
- work
- urn:openstax:clir:condensed-matter#M58601
- номер
- OpenStax University Physics, ch. 9 Condensed Matter Physics, module m58601
- вид
- urn:openstax:clir:condensed-matter#treatise
m58601/index.cnxml at commit d0ed34a (main, 2026-06-11)
- edition
- urn:openstax:clir:condensed-matter#M58601_MAIN
- язык
- en
- официальность
- official
- материализация
- PINNED_OFFICIAL_BYTES
- жизненный цикл
- adopted: 2026-06-11
Публикации
| URI | Тип | documentHash | Получено |
|---|---|---|---|
| https://raw.githubusercontent.com/openstax/osbooks-university-physics-bundle/d0ed34a5851119a42e3d972dfc0ff49e4663977c/modules/m58601/index.cnxml | application/xml; charset=utf-8 | sha256:247c5fce651a3e727eb7f26ed4d9a463aa90e822221074d48a83bf8cd7a03950 | 2026-09-06T00:00:00Z |
Фрагменты — 5
module/m58601#fs-id1172099386529 · defn · на него ссылаются: 2
en · official · sha256:93103909cf64f4e5e134d8b9d70e7154548bb0073fe0e427a830ed3f49752a85EN
<definition id="fs-id1172099386529">
<term>breakdown voltage</term>
<meaning id="fs-id1172099577109">in a diode, the reverse bias voltage needed to cause an avalanche of current</meaning>
</definition>Ссылаются нормы: ReverseBiasAboveBreakdownAvalanches, breakdown_voltage
module/m58601#fs-id1172101921694 · defn
en · official · sha256:719beb5e2dfbb782c75eb38af14aaff7fc452fb7880b2914a1cb24a248d3e515EN
<definition id="fs-id1172101921694">
<term>depletion layer</term>
<meaning id="fs-id1172101854037">region near the <emphasis effect="italics">p-n</emphasis> junction that produces an electric field</meaning>
</definition>module/m58601#fs-id1172101730423 · defn · на него ссылаются: 2
en · official · sha256:a04208007e966debc81dc21a20aac04d491c56ab046ac9225fd968a75550abd4EN
<definition id="fs-id1172101730423">
<term>forward bias configuration</term>
<meaning id="fs-id1172099499479">diode configuration that results in high current</meaning>
</definition>Ссылаются нормы: ForwardBiasCarriesHighCurrent, forward_biased
module/m58601#fs-id1172102025287 · defn
en · official · sha256:20768280cd2bbeb5c1ab588735e24df3cc89a467ec7fdd984770c13ac626567eEN
<definition id="fs-id1172102025287">
<term><emphasis effect="italics">p-n</emphasis> junction</term>
<meaning id="fs-id1172101805865">junction formed by joining <emphasis effect="italics">p</emphasis>- and <emphasis effect="italics">n</emphasis>-type semiconductors</meaning>
</definition>module/m58601#fs-id1172099753934 · defn · на него ссылаются: 3
en · official · sha256:8204c678814ee4541c957da5cba92eb91ba60577de80884a61c1dfc0343fecceEN
<definition id="fs-id1172099753934">
<term>reverse bias configuration</term>
<meaning id="fs-id1172099412673">diode configuration that results in low current</meaning>
</definition>Ссылаются нормы: ReverseBiasBelowBreakdownCarriesLowCurrent, applied_voltage, reverse_biased
Хэш рядом с текстом — sha256 его точных байтов. Он и есть проверка того, что показанный текст совпадает с закреплённым в пакете: расхождение роняет статику оракула.